安詩曼工業(yè)除濕機(jī)廠家專業(yè)生產(chǎn)工業(yè)除濕機(jī),家用除濕機(jī),商用除濕機(jī)等產(chǎn)品,歡迎來電咨詢定制。 公司簡介 | 研發(fā)團(tuán)隊(duì) | 網(wǎng)站地圖 | xml地圖
安詩曼-精芯除濕·致凈生活環(huán)境溫度濕度系統(tǒng)化解決方案供應(yīng)商
全國咨詢熱線:133-6050-3273
您的位置:新聞資訊 > 常見問題 > 功率半導(dǎo)體器件利用高低溫濕熱試驗(yàn)箱做穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)

功率半導(dǎo)體器件利用高低溫濕熱試驗(yàn)箱做穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)

作者:CEO 時(shí)間:2023-03-20

信息摘要:本標(biāo)準(zhǔn)給出了功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)方法,用以評價(jià)非氣密封裝的功率半導(dǎo)體器件在高溫高濕環(huán)境下耐受高電壓的可靠性。本標(biāo)準(zhǔn)不但適用于硅功率器件,也適用于碳化硅及氮化家功率器件。下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可

功率半導(dǎo)體器件利用高低溫濕熱試驗(yàn)箱做穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)

功率半導(dǎo)體器件利用高低溫濕熱試驗(yàn)箱做穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)

  本標(biāo)準(zhǔn)給出了功率半導(dǎo)體器件穩(wěn)態(tài)濕熱高壓偏置試驗(yàn)方法,用以評價(jià)非氣密封裝的功率半導(dǎo)體器件在高溫高濕環(huán)境下耐受高電壓的可靠性。

  本標(biāo)準(zhǔn)不但適用于硅功率器件,也適用于碳化硅及氮化家功率器件。

  下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注明日期的引用文件,僅注明日期的版本適用于本文件。凡是不注明日期的引用文件,其新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。

  GB/T2423.50環(huán)境試驗(yàn)第2部分:試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy:恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)。

  IEC-5半導(dǎo)體器件―機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法—第5部分:穩(wěn)態(tài)濕熱偏置壽命試驗(yàn)(Semiconductordevices—Mechanicalandclimatictestmethods—Part5:Steady-statetemperaturehumiditybias

  lifetest)

  該項(xiàng)試驗(yàn)通過施加高溫和高濕度條件,加速水汽穿透外部保護(hù)材料(如環(huán)氧外殼或硅膠保護(hù)層)或者外部保護(hù)材料和器件金屬管腳的交界面。

  高溫水汽一旦穿透器件外殼或外殼與器件管腳的交界面,到達(dá)芯片表面,就會(huì)在高電壓的作用加速芯片的劣化。

  本試驗(yàn)屬于破壞性試驗(yàn)。

  4.1高低溫濕熱試驗(yàn)箱

  的參數(shù)應(yīng)滿足下列要求:

  a)應(yīng)滿足表1中給出的溫度和相對濕度條件,并至少保持2000小時(shí)不間斷;

  b)在上升到規(guī)定的試驗(yàn)條件和從規(guī)定的試驗(yàn)條件恢復(fù)到常溫過程中,高低溫濕熱試驗(yàn)箱應(yīng)能夠提供受控的溫度和相對濕度條件;

  c)高低溫濕熱試驗(yàn)箱應(yīng)經(jīng)過計(jì)量,溫度的允許偏差小于±2℃,濕度的允許偏差小于±5%RH;

  d)高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)產(chǎn)生的冷凝水應(yīng)不斷排出,且不能重復(fù)利用;

  e)冷凝水不允許滴落在試驗(yàn)樣品上;

  f)高低溫濕熱試驗(yàn)箱要具備與外界的電氣連接接口。

  4.2高壓直流電源

  a)直流電源的輸出電壓不低于受試器件額定電壓的80%;b)直流電源應(yīng)經(jīng)過計(jì)量,輸出電壓允許偏差±2%。

  4.3加濕用水

  a)應(yīng)使用室溫下電阻率不低于1×105Ω·cm的蒸餾水或去離子水,PH值應(yīng)在6.0~7.2之間。

  b)在將水裝入加濕器之前,應(yīng)對高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)部各部分(包括安裝在高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)的夾具)進(jìn)行清洗;每次試驗(yàn)后,應(yīng)將加濕器和高低溫濕熱試驗(yàn)箱中的水全部清洗干凈。

  4.4小污染物釋放

  為了減少試驗(yàn)設(shè)備本體及箱體內(nèi)其他輔助裝置在高溫高濕環(huán)境下產(chǎn)生的污染物對受試樣品的影響,避免非濕熱因素造成的腐蝕,應(yīng)認(rèn)真選擇所用到的試驗(yàn)裝置的材質(zhì),如應(yīng)選擇在高溫高濕環(huán)境下性質(zhì)穩(wěn)定的材料來制造老化板、測試工裝及散熱器,避免這些裝置釋放有害物質(zhì)對被試樣品造成污染。

  4.5受試器件擺放

  受試器件在高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)的擺放位置應(yīng)盡可能不影響箱內(nèi)的空氣流動(dòng),從而使得箱體內(nèi)的溫度和濕度保持均勻。

  4.6避免高壓放電

  為了避免試驗(yàn)過程中發(fā)生高壓放電,被試樣品施加偏置電壓的端子之間應(yīng)保持足夠的安全距離,如果無法擴(kuò)大距離,則要采取其他絕緣措施。

  4.7器件發(fā)熱控制

  由于本試驗(yàn)需要施加高壓偏置,受試器件的漏電流會(huì)比施加低壓偏置時(shí)高,由此產(chǎn)生的功耗會(huì)使內(nèi)部芯片溫度升高。當(dāng)芯片溫度高于高低溫濕熱試驗(yàn)箱環(huán)境溫度<5℃時(shí),受試器件可以不用安裝散熱器。即使安裝散熱器,芯片溫度仍然超過高低溫濕熱試驗(yàn)箱環(huán)境溫度5℃或5℃以上,應(yīng)把芯片溫度與試驗(yàn)環(huán)境溫度的差值記錄在試驗(yàn)結(jié)果中,加速的失效機(jī)理將受到影響。

  試驗(yàn)條件由溫度、相對濕度、偏置電壓以及施加偏置電壓的持續(xù)時(shí)間組成。嚴(yán)酷等級(jí)由試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間決定。除非另有規(guī)定,應(yīng)從表1中給出的持續(xù)時(shí)間中選取嚴(yán)酷等級(jí)。

  受試器件應(yīng)以一定的方式安裝、暴露在表1規(guī)定的溫濕度環(huán)境中,并施加規(guī)定的偏置電壓。器件應(yīng)避免暴露于過熱、干燥或?qū)е缕骷凸ぱb夾具上產(chǎn)生冷凝水的環(huán)境中,尤其在試驗(yàn)應(yīng)力上升和下降過程中。

  6.1預(yù)處理

  適用時(shí),應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行預(yù)處理。

  6.2初始檢測

  試驗(yàn)樣品應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,進(jìn)行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

  6.3上升

  達(dá)到穩(wěn)定的溫度和相對濕度的時(shí)間應(yīng)少于3h。通過保證在整個(gè)試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)高低溫濕熱試驗(yàn)箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

  6.4下降

  下降時(shí)間應(yīng)不超過3h。通過保證在整個(gè)試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)高低溫濕熱試驗(yàn)箱的干球溫度超過濕球溫度來避免產(chǎn)生冷凝。

  6.5器件內(nèi)部濕氣穩(wěn)定時(shí)間

  由于濕氣穿透器件外殼并抵達(dá)芯片表面需要一定的時(shí)間,因此當(dāng)高低溫濕熱試驗(yàn)箱內(nèi)環(huán)境溫度和濕度達(dá)到穩(wěn)定后,應(yīng)繼續(xù)保持直至濕氣完全抵達(dá)芯片表面。

  由于環(huán)氧樹脂相較于硅膠,其抵御濕氣進(jìn)入的能力強(qiáng)得多,因此對于環(huán)氧樹脂封裝器件穩(wěn)定時(shí)間不少于336h,硅膠封裝器件穩(wěn)定時(shí)間不少于24h。

  6.6試驗(yàn)計(jì)時(shí)

  器件按6.5的要求進(jìn)行充分穩(wěn)定后,開始施加規(guī)定的偏置電壓,此時(shí)試驗(yàn)計(jì)時(shí)開始。當(dāng)達(dá)到規(guī)定的持續(xù)時(shí)間,溫濕度開始下降時(shí)計(jì)時(shí)結(jié)束。

  6.7施加偏置電壓

  器件按6.5的要求進(jìn)行充分穩(wěn)定后,開始施加規(guī)定的偏置電壓。當(dāng)試驗(yàn)結(jié)束且恢復(fù)完成后,再將偏置電壓移除。施加偏置電壓時(shí),若受試器件為絕緣柵雙極晶體管(IGBT)或場效應(yīng)晶體管(MOSFET),其柵極和發(fā)射極或柵極和源極之間應(yīng)可靠短路或施加負(fù)壓。

  6.8中間檢測

  如果要求進(jìn)行中間檢測,當(dāng)檢測完成后,應(yīng)重新按6.5的要求充分穩(wěn)定后,再施加偏置電壓并重新計(jì)時(shí)。

  6.9后檢測

  試驗(yàn)結(jié)束,試驗(yàn)樣品恢復(fù)常溫后,在48h內(nèi)應(yīng)按照相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,進(jìn)行外觀檢查和電氣參數(shù)測試。

  如果器件不能通過規(guī)定的終測試,或按照適用的采購文件和數(shù)據(jù)表中規(guī)定的正常和極限環(huán)境中不能驗(yàn)證其功能時(shí),器件視為失效。

  試驗(yàn)報(bào)告至少應(yīng)給出下列信息:

  a)檢測實(shí)驗(yàn)室的名稱和地址;

  b)客戶的名稱和地址;

  c)依據(jù)的檢測標(biāo)準(zhǔn)號(hào)及版本號(hào);

  d)所用檢測設(shè)備的標(biāo)識(shí)(名稱、型號(hào)、性標(biāo)識(shí)等);

  e)適用時(shí),應(yīng)給出設(shè)備的校準(zhǔn)有效期;

  f)檢測樣品的描述、狀態(tài)和明確的性標(biāo)識(shí);

  g)檢測樣品的接收日期和檢測日期;

  h)試驗(yàn)持續(xù)時(shí)間;

  i)初始、中間和后檢測;

  j)偏置條件;

  k)穩(wěn)定時(shí)間;

  l)在試驗(yàn)期間如果芯片溫度高于高低溫濕熱試驗(yàn)箱環(huán)境溫度5℃以上時(shí)芯片的溫度;

  m)對檢測方法的偏離、增添或刪節(jié),以及特定檢測條件的信息,如環(huán)境條件;

  n)適用時(shí),應(yīng)包含對于符合(或不符合)接收判據(jù)和(或)規(guī)范的聲明。

聲明:本站部分內(nèi)容和圖片來源于互聯(lián)網(wǎng),經(jīng)本站整理和編輯,版權(quán)歸原作者所有,本站轉(zhuǎn)載出于傳遞更多信息、交流和學(xué)習(xí)之目的,不做商用不擁有所有權(quán),不承擔(dān)相關(guān)法律責(zé)任。若有來源標(biāo)注存在錯(cuò)誤或侵犯到您的權(quán)益,煩請告知網(wǎng)站管理員,將于第一時(shí)間整改處理。管理員郵箱:y569#qq.com(#改@)
在線客服
聯(lián)系方式

熱線電話

133-6050-3273

上班時(shí)間

周一到周六

公司電話

133-6050-3273

二維碼